Компания Samsung готовится начать массовое производство памяти V-NAND 8-го поколения, которая будет иметь более 200 слоев и обеспечит более высокую производительность и плотность битов для твердотельных устройств хранения данных.
В 2013 году Samsung опередила своих конкурентов, выпустив 24-слойную флэш-память V-NAND, и другим компаниям потребовалось немало времени, чтобы догнать ее. В этом году Micron и SK Hynix опередили Samsung, выпустив 232- и 238-слойные устройства 3D TLC NAND. Но разработчик V-NAND не стоит на месте и готовится начать объемное производство памяти 3D NAND (которая, конечно же, будет называться V-NAND) с 236 слоями, сообщает Business Korea.
Samsung выпустила первые образцы своей памяти V-NAND с более чем 200 слоями в середине 2021 года, так что теперь у нее должно быть достаточно технологического опыта для начала серийного производства таких устройств. К сожалению, на данный момент трудно сказать, какой емкости будут чипы V-NAND 8-го поколения от Samsung. Тем не менее, мы уверены, что одной из целей компании при создании памяти NAND следующего поколения будет повышение скорости интерфейса и других характеристик производительности для создания лучших твердотельных накопителей нового поколения.
Для создания конкурентоспособных твердотельных накопителей для грядущих настольных компьютеров и ноутбуков с интерфейсом PCIe Gen5 и смартфонов с поддержкой интерфейсов UFS 3.1 и 4.0 компании Samsung необходимы устройства NAND с высокоскоростным интерфейсом. Сегодняшняя V7-NAND от Samsung уже имеет скорость интерфейса до 2,0 ГТ/с, но мы ожидаем, что компания еще больше увеличит скорость интерфейса в своей V8-NAND.
Еще одна вещь, которую можно ожидать от V-NAND 8-го поколения от Samsung, — это увеличенный размер программного блока и уменьшенная задержка чтения, что оптимизирует производительность устройств 3D NAND большей емкости. Но, к сожалению, точные характеристики неизвестны.
Хотя увеличение количества слоев NAND иногда считается простым способом масштабирования флэш-памяти, это не так. Чтобы сделать слои NAND тоньше (и, соответственно, ячейки NAND меньше), необходимо использовать новые материалы для надежного хранения заряда. Кроме того, поскольку травление сотен слоев является сложной задачей (и, возможно, экономически нецелесообразной), производителям 3D NAND приходится применять такие технологии, как укладка строк, чтобы создавать 3D NAND с сотнями слоев. Компания Samsung пока не применяет технологию укладки строк в 176-слойной V7-NAND, но пока неясно, будет ли эта технология использоваться в 236-слойной V8-NAND.